Nd:YVO4 –ଡାୟୋଡ୍ ପମ୍ପଡ୍ ସଲିଡ୍-ଷ୍ଟେଟ୍ ଲେଜର୍
ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଣ୍ଣନା
Nd:YVO4 Nd:YVO4 ଡିଜାଇନ୍ ଏବଂ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଡବଲିଂ ସ୍ଫଟିକ ସହିତ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଏବଂ ସ୍ଥିର IR, ସବୁଜ, ନୀଳ ଲେଜର ଉତ୍ପାଦନ କରିପାରିବ। ଅଧିକ କମ୍ପାକ୍ଟ ଡିଜାଇନ୍ ଏବଂ ଏକକ-ଲମ୍ବ-ମୋଡ୍ ଆଉଟପୁଟ୍ ଆବଶ୍ୟକ କରୁଥିବା ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ, Nd:YVO4 ଅନ୍ୟ ସାଧାରଣ ବ୍ୟବହୃତ ଲେଜର ସ୍ଫଟିକ ତୁଳନାରେ ଏହାର ବିଶେଷ ସୁବିଧା ଦର୍ଶାଏ।
Nd:YVO4 ର ସୁବିଧା
● କମ ଲେସିଂ ଥ୍ରେସହୋଲ୍ଡ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଢାଲ ଦକ୍ଷତା
● ଲେସିଂ ତରଙ୍ଗଦୈର୍ଘ୍ୟରେ ବଡ଼ ଉତ୍ତେଜିତ ନିର୍ଗମନ କ୍ରସ୍-ସେକ୍ସନ୍
● ଏକ ବିସ୍ତୃତ ପମ୍ପିଂ ତରଙ୍ଗଦୈର୍ଘ୍ୟ ବ୍ୟାଣ୍ଡୱିଡଥ୍ ଉପରେ ଉଚ୍ଚ ଅବଶୋଷଣ
● ଅପ୍ଟିକାଲି ଏକଅକ୍ଷୀୟ ଏବଂ ବଡ଼ ବାଇରଫ୍ରିଞ୍ଜେନ୍ସ ଧ୍ରୁବୀୟ ଲେଜର ନିର୍ଗତ କରେ।
● ପମ୍ପିଂ ତରଙ୍ଗଦୈର୍ଘ୍ୟ ଉପରେ କମ୍ ନିର୍ଭରଶୀଳତା ଏବଂ ଏକକ ମୋଡ୍ ଆଉଟପୁଟ୍ ପାଇଁ ପ୍ରବୃତ୍ତ।
ମୌଳିକ ଗୁଣଧର୍ମଗୁଡିକ
| ଆଣବିକ ଘନତ୍ୱ | ~୧.୩୭x୧୦୨୦ ପରମାଣୁ/ସେମି୨ |
| ସ୍ଫଟିକ ଗଠନ | ଜିରକନ୍ ଚତୁଃକୋଣୀୟ, ସ୍ଥାନ ଗୋଷ୍ଠୀ D4h, a=b=7.118, c=6.293 |
| ଘନତ୍ୱ | ୪.୨୨ ଗ୍ରାମ/ସେମି୨ |
| ମୋହସ୍ କଠିନତା | କାଚ ପରି, 4.6 ~ 5 |
| ତାପଜ ବିସ୍ତାର ଗୁଣାଙ୍କ | αa=୪.୪୩x୧୦-୬/K,αc=୧୧.୩୭x୧୦-୬/K |
| ତରଳିବା ବିନ୍ଦୁ | ୧୮୧୦ ± ୨୫ ℃ |
| ଲେସିଂ ତରଙ୍ଗଦୈର୍ଘ୍ୟ | ୯୧୪ ଏନଏମ, ୧୦୬୪ ଏନଏମ, ୧୩୪୨ ଏନଏମ |
| ଥର୍ମାଲ୍ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଗୁଣାଙ୍କ | ଡିଏନଏ/ଡିଟି=୮.୫x୧୦-୬/କେଭି, ଡିଏନସି/ଡିଟି=୩.୦x୧୦-୬/କେଭି |
| ପ୍ରେରିତ ନିର୍ଗମନ କ୍ରସ-ସେକ୍ସନ | ୨୫.୦x୧୦-୧୯ ସେମି୨, @୧୦୬୪ ନାଇମ |
| ଫ୍ଲୋରୋସେଣ୍ଟ ଜୀବନକାଳ | ୯୦ ମିସେକେଣ୍ଡ (୨ଟି atm% Nd ଡୋପଡ୍ ପାଇଁ ପ୍ରାୟ ୫୦ ମିସେକେଣ୍ଡ) @ 808 ନ୍ମ |
| ଅବଶୋଷଣ ଗୁଣାଙ୍କ | ୩୧.୪ ସେମି-୧ @ ୮୦୮ ନାଇଟ୍ |
| ଅବଶୋଷଣ ଦୈର୍ଘ୍ୟ | ୦.୩୨ ମିମି @ ୮୦୮ ନ୍ମ |
| ଅନ୍ତର୍ନିହିତ କ୍ଷତି | ୦.୧% ସେମି-୧ କମ୍, @୧୦୬୪ ଏନଏମ |
| ବ୍ୟାଣ୍ଡୱିଡଥ୍ ବୃଦ୍ଧି କରନ୍ତୁ | ୦.୯୬ nm (୨୫୭ GHz) @ ୧୦୬୪ nm |
| ଧ୍ରୁବୀୟ ଲେଜର୍ ନିର୍ଗମନ | ଅପ୍ଟିକ୍ ଅକ୍ଷ ସହିତ ସମାନ୍ତରାଳ (c-ଅକ୍ଷ) |
| ପମ୍ପଡ୍ ଡାୟୋଡ୍ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ରୁ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଦକ୍ଷତା | > ୬୦% |
| ସେଲମିୟର ସମୀକରଣ (ଶୁଦ୍ଧ YVO4 ସ୍ଫଟିକ ପାଇଁ) | no2 (λ) = 3.77834 + 0.069736 / (λ2 - 0.04724) - 0.0108133λ2 |
| no2 (λ) = 4.59905 + 0.110534 / (λ2 - 0.04813) - 0.0122676λ2 |
ଟେକ୍ନିକାଲ୍ ପାରାମିଟରଗୁଡ଼ିକ
| ଏନଡି ଡୋପାଣ୍ଟ ସାନ୍ଦ୍ରତା | ୦.୨ ~ ୩ ଏଟିଏମ୍% |
| ଡୋପାଣ୍ଟ ସହନଶୀଳତା | ସାନ୍ଦ୍ରତାର 10% ମଧ୍ୟରେ |
| ଦୈର୍ଘ୍ୟ | ୦.୦୨ ~ ୨୦ ମିମି |
| ଆବରଣ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ | AR @ 1064nm, R< 0.1% ଏବଂ HT @ 808nm, T> 95% |
| HR @ 1064nm, R> 99.8% ଏବଂ HT@ 808nm, T> 9% | |
| HR @ 1064nm, R> 99.8%, HR @ 532 nm, R> 99% ଏବଂ HT @ 808 nm, T> 95% | |
| ଦିଗନିର୍ଦ୍ଦେଶନ | କଟା ସ୍ଫଟିକ ଦିଗ (+/-5℃) |
| ପରିମାଣ ସହନଶୀଳତା | +/-0.1mm (ସାଧାରଣ), ଉଚ୍ଚ ସଠିକତା +/-0.005mm ଅନୁରୋଧ କଲେ ଉପଲବ୍ଧ ହୋଇପାରିବ। |
| ତରଙ୍ଗ ସମ୍ମୁଖ ବିକୃତି | 633nm ରେ <λ/8 |
| ପୃଷ୍ଠ ଗୁଣବତ୍ତା | ପ୍ରତି MIL-O-1380A ପାଇଁ 20/10 ସ୍କ୍ରାଚ୍/ଡିଗ୍ ଠାରୁ ଭଲ |
| ସମାନ୍ତରାଳତା | < 10 ଆର୍କ ସେକେଣ୍ଡ |
ଆପଣଙ୍କ ବାର୍ତ୍ତା ଏଠାରେ ଲେଖନ୍ତୁ ଏବଂ ଆମକୁ ପଠାନ୍ତୁ।
