Co2 +: MgAl2O4 ସାଚୁରେବଲ୍ ଅବସର୍ବର୍ ପାସିଭ୍ Q- ସୁଇଚ୍ ପାଇଁ ଏକ ନୂତନ ସାମଗ୍ରୀ |
ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଣ୍ଣନା
3.5 x 10-19 cm2 ର ଉଚ୍ଚ ଅବଶୋଷଣ କ୍ରସ୍ ବିଭାଗ ଏରର Q- ସୁଇଚ୍ କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ: ଇଣ୍ଟ୍ରାକାଭିଟି ବିନା ଗ୍ଲାସ୍ ଲେଜର ଉଭୟ ଫ୍ଲାସ୍ ଲ୍ୟାମ୍ପ ଏବଂ ଡାୟୋଡ୍-ଲେଜର ପମ୍ପିଂ ସହିତ ଧ୍ୟାନ ଦେଇଥାଏ |ଅବହେଳିତ ଉତ୍ତେଜିତ-ଅବଶୋଷଣ ଫଳାଫଳ Q- ସୁଇଚ୍ ର ଉଚ୍ଚ ବିପରୀତରେ ପରିଣତ ହୁଏ, ଅର୍ଥାତ୍ ପ୍ରାରମ୍ଭିକ (ଛୋଟ ସଙ୍କେତ) ର ସନ୍ତୁଳିତ ଅବଶୋଷଣର ଅନୁପାତ 10 ରୁ ଅଧିକ ଅଟେ | ଶେଷରେ, ସ୍ଫଟିକର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଅପ୍ଟିକାଲ୍, ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଏବଂ ତାପଜ ଗୁଣଗୁଡ଼ିକ କମ୍ପାକ୍ଟ ଡିଜାଇନ୍ କରିବାର ସୁଯୋଗ ଦେଇଥାଏ | ଏବଂ ଏହି ନିଷ୍କ୍ରିୟ Q- ସୁଇଚ୍ ସହିତ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଲେଜର ଉତ୍ସ |
ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ଅପ୍ଟିକ୍ Q- ସୁଇଚ୍ ପରିବର୍ତ୍ତେ ଉଚ୍ଚ ପାୱାର୍ ଲେଜର ଡାଲି ତିଆରି କରିବା ପାଇଁ ପାସିଭ୍ Q- ସୁଇଚ୍ କିମ୍ବା ସାଚୁରେବଲ୍ ଶୋଷକ ବ୍ୟବହାର କରାଯିବାବେଳେ ଉପକରଣର ଆକାର ହ୍ରାସ ହୁଏ ଏବଂ ଏକ ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ୍ ଶକ୍ତି ଉତ୍ସ ଅପସାରିତ ହୁଏ |ଶକ୍ତିଶାଳୀ, ଦୃ urdy ସ୍ଫଟିକ୍ ସ୍ପିନେଲ୍ ପଲିସ୍ ଭାବରେ ଜଣାଶୁଣା |ଅତିରିକ୍ତ ଚାର୍ଜ କ୍ଷତିପୂରଣ ଆୟନ ବିନା, କୋବାଲ୍ଟ ସ୍ପିନେଲ ହୋଷ୍ଟରେ ମ୍ୟାଗ୍ନେସିୟମକୁ ସହଜରେ ବଦଳାଇପାରେ |ଉଭୟ ଫ୍ଲାସ୍-ଲ୍ୟାମ୍ପ ଏବଂ ଡାୟୋଡ୍ ଲେଜର ପମ୍ପିଂ ପାଇଁ, ଏର: ଗ୍ଲାସ୍ ଲେଜରର ଉଚ୍ଚ ଅବଶୋଷଣ କ୍ରସ୍ ବିଭାଗ (3.510-19 ସେମି 2) ଇଣ୍ଟ୍ରାକାଭିଟି ଧ୍ୟାନ ନ ଦେଇ Q- ସୁଇଚ୍ କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ |
ହାରାହାରି ଆଉଟପୁଟ୍ ଶକ୍ତି 580 ମେଗାୱାଟ ସହିତ ନାଡିର ମୋଟେଇ 42 ns ଏବଂ ଏକ ଶୋଷିତ ପମ୍ପ ଶକ୍ତି 11.7 ଡବ୍ଲୁ ହେବ | ଗୋଟିଏ Q- ସୁଇଚ୍ ପଲ୍ସର ଶକ୍ତି ପ୍ରାୟ 14.5 J ହିସାବ କରାଯାଉଥିଲା ଏବଂ ଶିଖର ଶକ୍ତି 346 W ପ୍ରାୟ 40 kHz ର ପୁନରାବୃତ୍ତି ହାରରେ |ଆହୁରି ମଧ୍ୟ, Co2 + ର ଅନେକ ପୋଲାରାଇଜେସନ୍ ଅବସ୍ଥା: LMA ର ପାସିଭ୍ Q ସୁଇଚ୍ କ୍ରିୟା ପରୀକ୍ଷା କରାଯାଇଥିଲା |
ମ Basic ଳିକ ଗୁଣ |
| ସୂତ୍ର | Co2 +: MgAl2O4 | |
| କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ଗଠନ | କ୍ୟୁବିକ୍ | |
| ଓରିଏଣ୍ଟେସନ୍ | |
| ପୃଷ୍ଠଭୂମି | ଫ୍ଲାଟ / ଫ୍ଲାଟ | |
| ପୃଷ୍ଠଭୂମି ଗୁଣ | | 10-5 SD |
| ଭୂପୃଷ୍ଠ ସମତଳତା | | <ʎ / 10 @ 632.8 nm |
| ଆର୍ ଆବରଣ ପ୍ରତିଫଳନ | | <0.2% @ 1540 nm |
| କ୍ଷତି ସୀମା | > 500 ମେଗାୱାଟ / ସେମି 2 | |
| ବ୍ୟାସ | ସାଧାରଣ: 5-10 ମିମି | |
| ପରିମାପ ସହନଶୀଳତା | | + 0 / -0.1 ମିମି |
| ପ୍ରସାରଣ | ସାଧାରଣ: 0.70,0.80,0.90 @ 1533nm | |
| ଅବଶୋଷଣ କ୍ରସ୍ ବିଭାଗ | | 3.5 × 10 ^ -19 cm2 @ 1540 nm | |
| ସମାନ୍ତରାଳ ତ୍ରୁଟି | | <10 ଆର୍ସେକ୍ | |
| ପର୍ପେଣ୍ଡିକୁଲାରାଇଟି | | <10 ଆର୍କମିନ୍ | |
| ପ୍ରତିରକ୍ଷା ଚାମ୍ଫର୍ | | <0.1 mm x 45 ° |
