AgGaS2 - ଅଣ-ଲାଇନ୍ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଇନଫ୍ରାଡ୍ କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ |
ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଣ୍ଣନା
ପତଳା AgGaS2 (AGS) ସ୍ଫଟିକ୍ ପ୍ଲେଟ୍ ଗୁଡିକ NIR ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ ଡାଲି ବ୍ୟବହାର କରୁଥିବା ପାର୍ଥକ୍ୟ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଉତ୍ପାଦନ ଦ୍ IR ାରା ମଧ୍ୟମ IR ପରିସରରେ ଅଲଟ୍ରାଶର୍ଟ ପଲ୍ସ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଲୋକପ୍ରିୟ |
ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ
CO CO ଏବଂ CO2 - ଲେଜର ଉପରେ ଦ୍ୱିତୀୟ ହାରମୋନିକ୍ସ |
● ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ପାରାମେଟ୍ରିକ୍ ଓସିଲେଟର |
12 12 କିଲୋମିଟର ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ମଧ୍ୟମ ଇନଫ୍ରାଡ୍ ଅଞ୍ଚଳଗୁଡିକ ପାଇଁ ବିଭିନ୍ନ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଜେନେରେଟର |
IR ମଧ୍ୟମ IR ଅଞ୍ଚଳରେ 4.0 ରୁ 18.3 µm ମଧ୍ୟରେ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ମିଶ୍ରଣ |
● ଟ୍ୟୁନେବଲ୍ କଠିନ ଷ୍ଟେଟ ଲେଜର (OPO Nd ଦ୍ୱାରା ପମ୍ପ ହୋଇଛି: YAG ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଲେଜର 1200 ରୁ 10000 nm ଅଞ୍ଚଳରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରୁଥିବା 0.1 ରୁ 10%)
Is ଆଇସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ପଏଣ୍ଟ (300 ° K ରେ 0.4974 ମିଟର) ନିକଟବର୍ତ୍ତୀ ଅଞ୍ଚଳରେ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ସଂକୀର୍ଣ୍ଣ-ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଫିଲ୍ଟର୍, ତାପମାତ୍ରା ପରିବର୍ତ୍ତନ ସମୟରେ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଟ୍ୟୁନ୍ କରାଯାଏ |
N2: YAG, ରୁବି କିମ୍ବା ରଙ୍ଗ ଲେଜର ବ୍ୟବହାର କରି 30% ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଦକ୍ଷତା ସହିତ CO2 ଲେଜର ବିକିରଣ ପ୍ରତିଛବିକୁ ନିକଟ- IR କିମ୍ବା ଦୃଶ୍ୟମାନ ଅଞ୍ଚଳରେ ରୂପାନ୍ତର |
ବ Features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ
0.25-5.0 ମିମିରେ ପ୍ରସାରଣ, 2-3 ମିମିରେ କ absor ଣସି ଅବଶୋଷଣ ନାହିଁ |
ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ଚାଳନା |
Refr ପ୍ରତ୍ୟାହାରର ଉଚ୍ଚ ସୂଚକାଙ୍କ ଏବଂ ଅଣ-ବ୍ରେଫ୍ରିଙ୍ଗେନ୍ସ |
ମ Basic ଳିକ ଗୁଣ |
| କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ଗଠନ | ଟେଟ୍ରାଗୋନାଲ | |
| କକ୍ଷ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | a = 5.992 Å, c = 10.886 Å | |
| ତରଳିବା ପଏଣ୍ଟ | | 851 ° C |
| ଘନତା | 5.700 g / cm3 |
| ମୋହ କଠିନତା | | 3-3.5 |
| ଅବଶୋଷଣ କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ | | <0.05 ସେମି -1 @ 1.064 µ ମି <0.02 ସେମି -1 @ 10.6 µ ମି |
| ଆପେକ୍ଷିକ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ କନଷ୍ଟାଣ୍ଟ @ 25 MHz | | ε11s = 10.5 ε11t = 12.0 | |
| ତାପଜ ବିସ୍ତାର କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ | | || C: -8.1 x 10-6 / ° C | ⊥C: +19.8 x 10-6 / ° C |
| ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି | | 1.0 W / M / ° C |
ରେଖା ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଗୁଣ |
| ସ୍ୱଚ୍ଛତା ପରିସର | 0.50-13.2 ଓମ୍ | |
| ପ୍ରତୀକାତ୍ମକ ସୂଚକାଙ୍କ | | no | ne |
| @ 1.064 ଓମ୍ | 2.4521 | 2.3990 |
| @ 5.300 ଓମ୍ | 2.3945 | 2.3408 |
| @ 10.60um | 2.3472 | 2.2934 |
| ଥର୍ମୋ-ଅପ୍ଟିକ୍ | ଗୁଣବତ୍ତା | dno / dt = 15.4 x 10-5 / ° C | dne / dt = 15.5 x 10-5 / ° C | |
| ସେଲମିୟର୍ ସମୀକରଣ (um in um) | no2 = 3.3970 + 2.3982 / (1-0.09311 / ʎ2) + 2.1640 / (1-950 / ʎ2) ne2 = 3.5873 + 1.9533 / (1-0.11066 / ʎ2) + 2.3391 / (1-1030.7 / ʎ2) | |
ଅଣନ ar ତିକ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଗୁଣ |
| ଚରଣ-ମେଳଣ SHG ପରିସର | | 1.8-11.2 ଓମ୍ |
| NLO କୋଏଫେସିଏଣ୍ଟସ୍ @ 1.064 ଓମ୍ | | d36 = d24 = d15 = 23.6 pm / V | |
| ରେଖା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ଅପ୍ଟିକ୍ | ଗୁଣବତ୍ତା | Y41T = 4.0 pm / V Y63T = 3.0 pm / V |
| କ୍ଷତି ସୀମା @ ~ 10 ns, 1.064 um | 25 ମେଗାୱାଟ / ସେମି 2 (ଭୂପୃଷ୍ଠ), 500 ମେଗାୱାଟ / ସେମି 2 (ବଲ୍କ) |
ମ Basic ଳିକ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ |
| ତରଙ୍ଗ ଫ୍ରଣ୍ଟ ବିକୃତି | | λ / 6 @ 633 nm ରୁ କମ୍ | |
| ପରିମାପ ସହନଶୀଳତା | | (W +/- 0.1 mm) x (H +/- 0.1 mm) x (L +0.2 mm / -0.1 mm) |
| ଆପେଚର ସଫା କରନ୍ତୁ | | > 90% କେନ୍ଦ୍ରୀୟ କ୍ଷେତ୍ର | |
| ସମତଳତା | | T> = 1.0mm ପାଇଁ λ / 6 @ 633 nm | |
| ପୃଷ୍ଠଭୂମି ଗୁଣ | | ପ୍ରତି 20/10 ସ୍କ୍ରାଚ୍ / ଖୋଳ | MIL-O-13830A | |
| ସମାନ୍ତରାଳତା | | 1 ଆର୍ ମିନିଟ୍ ଠାରୁ ଭଲ | |
| ପର୍ପେଣ୍ଡିକୁଲାରାଇଟି | | 5 ଆର୍କ ମିନିଟ୍ | |
| କୋଣ ସହନଶୀଳତା | | Δθ <+/- 0.25o, Δφ <+/- 0.25o |
