AgGaSe2 ସ୍ଫଟିକ୍ - 0.73 ଏବଂ 18 µm ରେ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଏଜ୍ |
ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଣ୍ଣନା
ହୋ: YLF ଲେଜର 2.05 µm ରେ ପମ୍ପ କରିବା ସମୟରେ 2.5–12 µm ମଧ୍ୟରେ ଟ୍ୟୁନିଂ ପ୍ରାପ୍ତ ହୋଇଛି |1.4–1.55 µm ରେ ପମ୍ପ କରିବା ସମୟରେ 1.9-5.5 µm ମଧ୍ୟରେ ଅଣ-ଜଟିଳ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ମେଳଣ (NCPM) କାର୍ଯ୍ୟ |AgGaSe2 (AgGaSe) ଇନଫ୍ରାଡ୍ CO2 ଲେଜର ବିକିରଣ ପାଇଁ ଏକ ଦକ୍ଷ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଦ୍ୱିଗୁଣିତ ସ୍ଫଟିକ୍ ଭାବରେ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରାଯାଇଛି |
ଫେମଟୋ ସେକେଣ୍ଡ ଏବଂ ପିକୋସେକଣ୍ଡ ବ୍ୟବସ୍ଥାରେ ବ୍ୟବସାୟିକ ଭାବରେ ଉପଲବ୍ଧ ସିଙ୍କ୍ରୋନାଇଜଡ୍-ପମ୍ପ୍ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ପାରାମେଟ୍ରିକ୍ ଓସିଲେଟର (SPOPOs) ସହିତ ମିଳିତ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରି, AgGaSe2 ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକ ମଧ୍ୟ-ଆଇଆର ଅଞ୍ଚଳରେ ଅଣ-ଲାଇନ୍ ପାରାମେଟ୍ରିକ୍ ଡାଉନ୍ କନଭର୍ସନ (ପାର୍ଥକ୍ୟ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଉତ୍ପାଦନ, DGF) ରେ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ବୋଲି ଦର୍ଶାଯାଇଛି |ମଧ୍ୟମ-ଆଇଆର ନନ୍-ଲାଇନ୍ର୍ AgGaSe2 କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ବାଣିଜ୍ୟିକ ସୁବିଧାଜନକ କ୍ରିଷ୍ଟାଲଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟରେ ଶ୍ରେଷ୍ଠ ଗୁଣବତ୍ତା ମଧ୍ୟରୁ (70 pm2 / V2) ଧାରଣ କରିଥାଏ, ଯାହାକି AGS ସମତୁଲଠାରୁ times ଗୁଣ ଅଧିକ |ଅନେକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ କାରଣ ପାଇଁ AgGaSe2 ଅନ୍ୟ ମଧ୍ୟ-ଆଇଆର ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକ ପାଇଁ ମଧ୍ୟ ପସନ୍ଦଯୋଗ୍ୟ |AgGaSe2, ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, କମ୍ ସ୍ପେସାଲ୍ ୱାକ-ଅଫ୍ ଅଛି ଏବଂ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ (ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ ବୃଦ୍ଧି ଏବଂ କଟ୍ ଦିଗ) ପାଇଁ ଚିକିତ୍ସା ପାଇଁ କମ୍ ଉପଲବ୍ଧ, ଯଦିଓ ବୃହତ ଅଣ-ସମାନତା ଏବଂ ସମାନ ସ୍ୱଚ୍ଛତା କ୍ଷେତ୍ର ଅଛି |
ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ
CO CO ଏବଂ CO2 - ଲେଜର ଉପରେ ଦ୍ୱିତୀୟ ହାରମୋନିକ୍ସ |
● ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ପାରାମେଟ୍ରିକ୍ ଓସିଲେଟର |
17 17 କିଲୋମିଟର ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ମଧ୍ୟମ ଇନଫ୍ରାଡ୍ ଅଞ୍ଚଳଗୁଡିକ ପାଇଁ ବିଭିନ୍ନ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଜେନେରେଟର |
IR ମଧ୍ୟମ ଆଇଆର ଅଞ୍ଚଳରେ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ମିଶ୍ରଣ |
ମ Basic ଳିକ ଗୁଣ |
| କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ଗଠନ | ଟେଟ୍ରାଗୋନାଲ | |
| କକ୍ଷ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ | | a = 5.992 Å, c = 10.886 Å | |
| ତରଳିବା ପଏଣ୍ଟ | | 851 ° C |
| ଘନତା | 5.700 g / cm3 |
| ମୋହ କଠିନତା | | 3-3.5 |
| ଅବଶୋଷଣ କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ | | <0.05 ସେମି -1 @ 1.064 µ ମି <0.02 ସେମି -1 @ 10.6 µ ମି |
| ଆପେକ୍ଷିକ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ କନଷ୍ଟାଣ୍ଟ | @ 25 MHz | ε11s = 10.5 ε11t = 12.0 |
| ତାପଜ ବିସ୍ତାର ଗୁଣବତ୍ତା | || C: -8.1 x 10-6 / ° C | ⊥C: +19.8 x 10-6 / ° C |
| ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି | | 1.0 W / M / ° C |
